차세대 메모리 공정 효율 개선
자동차업계 삼성파운드리 주목
박용대 수석연구원도 공동 선정

한신희 삼성전자 수석연구원
한신희 수석연구원
고성능·고효율 비휘발성 메모리 반도체 개발에서 성과를 낸 한신희 삼성전자 수석연구원이 4월 대한민국 엔지니어상을 수상했다.

과학기술정보통신부(이하 과기정통부)와 한국산업기술진흥협회는 매달 대기업과 중견·중소기업 엔지니어를 1명씩 '대한민국 엔지니어'로 선정해 과기정통부 장관상과 상금 500만원을 수여한다. 산업 현장의 기술 혁신을 장려하고 기술자를 우대하는 풍토를 조성하기 위한 것이다.

이달의 수상자인 한 수석연구원은 16년 이상 반도체 연구 개발 활동을 지속해온 엔지니어로, 비휘발성 메모리 공정의 전문가다. 20여개의 특허를 보유하고 있다. 세계 유명 학회에서 관련 논문 발표 등도 활발히 해왔다.

차세대 메모리 반도체로 주목받는 M램(자기 저항을 이용해 만든 비휘발성 고체 메모리)과 eM램(내장형 M램) 생산 등을 통해 반도체 기술 혁신에 기여해왔다는 평가다.

특히 세계에서 가장 작은 28나노미터 eM램 비트셀(메모리의 기본 단위) 공정을 개발해 양산화하는데 기여하고, eM램의 에너지 효율을 70%까지 높인 성과가 크게 주목받았다. 14나노미터 M램 기술 개발도 이끌었다. 기존 비휘발성 내장형 메모리 반도체의 경우 28나노미터 이하 미세 공정에서 쓰이는데 한계가 있었는데, 이런 공정을 개발해낸 것이다.

이런 고성능·고효율의 비휘발성 메모리 반도체는 특히 자율주행 차량 등이 부상한 자동차 업계에서 수요가 커지고 있다. 한 수석연구원의 개발 성과가 글로벌 자동차 업계에서 삼성 파운드리 사업 전반의 주목도를 높이는 효과로 이어졌다는 게 과기정통부 설명이다.

한 수석연구원은 "앞으로도 자기 저항 메모리 기술에 대한 끊임없는 연구 개발로 차별화된 가치를 제공해 국내 반도체 업계가 기술을 선도할 수 있도록 최선을 다하겠다"고 소감을 밝혔다.

한편 박용대 피케이밸브앤엔지니어링 수석연구원도 함께 선정됐다. 다른 밸브에 비해 작고 가벼워 설치와 취급이 용이한데다 제작 비용도 저렴한 LNG 운반선용 초저온(영하 196도) 버터플라이밸브를 전세계에서 세 번째로 개발해 국산화에 기여한 공로를 인정받았다.

/강기정기자 kanggj@kyeongin.com