삼성전자가 데이터센터 등 3D(3차원) V-낸드플래시 수요 증가에 대응하기 위해 중국 시안의 반도체 공장에 두 번째 생산 라인을 짓는다.

삼성전자는 중국 산시성 시안에서 '삼성 중국 반도체 메모리 제2라인 기공식'을 열었다고 28일 밝혔다.

지난 2014년부터 시안 공장에서 V-낸드를 양산해왔으나 100% 가동률에도 공급이 수요를 따라가지 못해 생산 라인을 증설키로 했다.

2기 생산 라인에는 1기와 마찬가지로 70억달러(약 7조8천억원)가 투입되며, 내년에 완공돼 V-낸드를 생산할 예정이다.

V-낸드는 기존의 평면 낸드와 달리 회로를 위로 쌓아 3차원 구조로 만든 낸드플래시로 집적도가 높아 용량이 크다. 최근 글로벌 IT 기업들이 경쟁적으로 짓고 있는 데이터센터는 물론 스마트폰 저장장치, HDD(하드디스크드라이브)를 대체할 SSD(솔리드스테이트드라이브) 등을 중심으로 수요가 늘고 있다.

김기남 삼성전자 대표이사 사장은 "차별화된 제품을 생산해 글로벌 IT 시장 성장에 기여할 것"이라고 말했다.

/황준성기자 yayajoon@kyeongin.com