삼성, 평택에 첫 파운드리 생산라인 구축…비전 2030 박차

두 번째 EUV 전용라인 짓는 삼성…TSMC 추격 속도 붙나 화성 이어 두번째 EUV 전용라인…10조원대 대규모 투자 올해 7나노 이하 생산 규모 3배 이상 확대…초미세화 '박차'

이재용 삼성전자 부회장이 20일 화성사업장을 찾아 올해 2월부터 본격 가동을 시작한 EUV 전용 반도체 생산라인을 직접 살펴보고 임직원들을 격려했다고 밝혔다. 사진은 삼성전자 V1 라인 전경. /삼성전자 제공

삼성전자가 21일 두 번째 극자외선(EUV) 전용 생산라인 구축을 발표하면서 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 도약에 속도가 붙을지 주목된다.

삼성전자의 경기도 평택캠퍼스 파운드리 생산시설 투자는 작년 4월 발표한 '반도체 비전 2030' 후속 조치 중 하나다.

반도체 비전 2030에는 133조원을 투자해 2030년까지 시스템 반도체 1위를 달성하겠다는 내용이 담겼다.

삼성전자는 비전 발표 이후 화성과 평택에 잇따라 투자를 단행하며 파운드리 사업 확대를 본격화하고 있다.

평택 EUV 전용라인은 올해 2월 화성 V1 라인을 처음 가동한 데 이은 두 번째 EUV 전용라인이다.

EUV 공정은 파운드리 미세공정 한계 극복에 필수적인 기술로 7나노 이하부터 적용되고 있다.

나노는 반도체 회로 선폭을 의미하는데, 선폭이 좁을수록 소비전력이 감소하고 처리 속도가 향상된다.

삼성전자는 화성 V1 라인 가동으로 올해 말 기준 7나노 이하 제품 생산 규모가 작년 대비 3배 이상 늘어날 것으로 보고 있다.

내년에 평택 파운드리 생산라인까지 가동되면 7나노 이하 제품 생산 규모는 더욱더 가파르게 증가할 전망이다.

이에 따라 업계에서는 삼성전자가 세계 1위 파운드리 기업인 대만 TSMC 추격하는 데 속도가 붙을 것이란 기대가 나온다.

현재로선 7나노 이하 초미세 공정 기술을 보유하고 있는 파운드리 기업은 사실상 삼성전자와 대만 TSMC가 유일하다.

하지만 TSMC는 세계 파운드리 시장에서 50%대의 압도적인 점유율을 차지하는 한편 삼성전자는 10% 후반대 점유율에서 다소 정체된 상황이다.

특히 최근 TSMC가 미국 5나노 파운드리 공장 설립을 발표하며 현지 고객사 확보 경쟁도 더욱 치열해질 전망이다.

TSMC는 2나노 공정을 개발 중이라고 발표했고 올해 5나노 공정 생산에 돌입하겠다는 계획이다.

삼성전자는 지난해 4월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 7나노 제품을 출하했고 작년 하반기 6나노 제품 양산을 시작했다.

5나노 제품도 올 하반기 중 양산될 계획이며 3나노 제품은 일단 2022년을 양산 시점으로 잡고 있다.

업계에서는 삼성과 TSMC의 3나노 공정의 양산 목표 시점이 같은 만큼 2022년을 파운드리 시장 전환점으로 보기도 한다.

삼성전자 파운드리는 올 들어 퀄컴 5G 모뎀칩 생산 계약을 따내는 등 구체적인 성과도 내고 있다.

올 1분기 시스템 반도체 매출은 4조5천억원으로 역대 최고치를 기록했다. 반도체 부문에서의 매출 비중도 25%를 처음 넘어섰다.

다만 올해 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19)으로 이달 미국에서 열릴 예정이던 삼성 파운드리 포럼이 취소되는 등 불확실성에 대응해야 하는 상황이다.

이 밖에도 미국의 화웨이 제재로 파운드리 업계 4위인 중국 SMIC(중신궈지·中芯國際)의 반사이익도 가시화하고 있어 점유율 확대가 더뎌질 것이라는 우려도 나온다. /연합뉴스