삼성전자가 30일 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노(nm·나노미터) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다. 반도체 업계 1위인 대만 TSMC보다도 한발 앞선 것으로, 메모리 분야에 이어 파운드리 분야에서도 삼성전자의 '초격차' 전략이 속도를 내는 모양새다.
3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력은 45% 절감되고 성능은 23% 향상된 한편 면적은 16% 줄었다는 게 삼성전자 측 설명이다. 내년에는 3나노 GAA 2세대 공정이 나오는데 이는 전력은 50% 절감되고 성능은 30% 오르는 한편 면적은 35% 축소될 전망이다.
전력 45% 절감·성능 23% 향상
점유율, TSMC 53%·삼성 16%
GAA 기술로 우위 점할지 관심
삼성전자는 GAA 구조의 트랜지스터를 인공지능, 빅데이터, 자율주행, 사물인터넷 등 미래 첨단 기술에 필요한 차세대 반도체에 활용할 예정이다.
이번 3나노 GAA 공정 개발로 삼성전자가 파운드리 시장에서도 우위를 점하게 될지 관심이 집중된다.
삼성전자는 메모리 반도체에선 선두 주자이지만, 파운드리 시장에선 대만 TSMC가 업계 1위를 달려왔다. 현재 7나노 이하 미세 공정을 제공하는 곳 역시 삼성전자와 TSMC 뿐이지만 매출 점유율에선 TSMC가 앞서왔다. 올 1분기 TSMC의 파운드리 매출 점유율은 53.6%, 삼성전자는 16.3%였다.
삼성전자 파운드리사업부장 최시영 사장은 "삼성전자는 파운드리 업계 최초로 하이-케이 메탈 게이터, 핀펫, EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해왔고 이번에 MBCFET GAA 기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐다. 앞으로도 차별화된 기술을 적극 개발하고 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해나가겠다"고 밝혔다.
/김학석·민정주기자 zuk@kyeongin.com